| PART |
Description |
Maker |
| IRFM250 |
N-Channel Power MOSFET(Vdss:200V,Id(cont):27.4A,Rds(on):0.100Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:200V,Id(cont):27.4A,Rds(on):0.100Ω)) N沟道功率MOSFET（减振钢板基本：200伏，身份证（续）7.4A，的Rds（on）：0.100Ω）（不适用马鞍山沟道功率场效应管（减振钢板基本00伏，身份证（续）7.4A时，RDS（对）：0.100Ω））
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Electronic Theatre Controls, Inc.
SEME-LAB
Seme LAB
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| IRFN340SMD |
N-Channel Power MOSFET(BVdss:400V,Id(cont):10A,Rds(on):0.55Ω)(N沟道功率MOS场效应管(BVdss:400V,Id(cont):10A,Rds(on):0.55Ω))
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SemeLAB
SEME-LAB[Seme LAB]
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| IRF054SMD |
N-Channel Power MOSFET(Vdss:60V,Id(cont):45A,Rds(on):0.027Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:60V,Id(cont):45A,Rds(on):0.027Ω)) N沟道功率MOSFET（减振钢板基本：60V的，身份证（续）5A条，的Rds（on）：0.027Ω）（不适用马鞍山沟道功率场效应管（减振钢板基本0V的，身份证（续）5A条，的Rds（on.027Ω））
|
SemeLAB
Seme LAB
International Rectifier
http://
|
| IRFE9130 |
P-Channel Power MOSFET(Vdss:-100V,Id(cont):-6.1A,Vdgr:-0.345V)(P沟道功率MOS场效应管(Vdss:-100V,Id(cont):-6.1A,Vdgr:-0.345V)) P沟道功率MOSFET（减振钢板基本：- 100V的，身份证（续） 6.1A，Vdgr 0.345V）性（P沟道功率马鞍山场效应管（减振钢板基本 100V的，身份证（续） 6.1AVdgr 0.345V））
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Seme LAB
|
| LXZ2-2780-Y LXZ2-3090-Y LXZ2-4080-Y LXZ2-2790-Y LX |
Breakthrough luminance, design flexibility
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Lumileds Lighting Compa...
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| AN3248NK |
VCR Luminance Signal Processor IC
|
Panasonic
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| AN2141 |
Video Camera Luminance Signal Processing Circuit
|
Panasonic Corporation
PANASONIC[Panasonic Semiconductor]
|
| CA3194E |
Single Chip PAL Luminance/Chroma Processor
|
INTERSIL[Intersil Corporation]
|
| AN2493FH |
Luminance and chrominance signal processing (PAL) IC for 8 mm VCR
|
PANASONIC[Panasonic Semiconductor]
|
| CXA1700AQ/AR |
Luminance and Color Signal Processing for 8mm VCR
|
SONY
|
| TDA2151 |
LINEAR INTEGRATED CIRCUIT
Luminance and Chrominance Amplifier for Color TV
|
SGS-Ates Componenti Electronici S P A
Philips Semiconductors
NXP Semiconductors
|
